一纸收购，最新市值500亿元的长电科技涨停了。

消息面上，3月4日晚间，长电科技公告，公司全资子公司长电科技管理有限公司（下称“长电管理公司”）拟以现金方式收购晟碟半导体（上海）有限公司（下称“晟碟半导体”）80%的股权，收购对价约6.24亿美元（最终价格将根据交割前后的现金、负债和净营运资金等情况进行惯常的交割调整）。

这项收购为什么被市场看好？

根据公告，晟碟半导体是全球知名存储器厂商西部数据（Western Digital Corporation）的全资子公司，且资产颇为优质。

晟碟半导体成立于2006年，位于上海市闵行区，主要从事先进闪存存储产品的封装和测试，产品类型主要包括iNAND闪存模块，SD、MicroSD存储器等。产品广泛应用于移动通信、工业与物联网、汽车、智能家居及消费终端等领域。其工厂高度自动化，拥有较高的生产效率，是一家在质量、运营、可持续发展等方面屡获大奖的“灯塔工厂”。

财务数据显示，晟碟半导体2022年、2023年1-6月的净利润分别为35732.06万元、22158.08万元。

不过，相较于好业绩，投资者更看重的或许是：在AI带动HBM存储大热的当下，尽管晟碟半导体的业务是闪存封装，但长电科技或许可以借此机会，逐步切入到整个半导体存储的封测领域。

一个需要提及的背景是，AI大发展带动AI服务器出货量持续提升，催化HBM需求持续增长。咨询公司Trendforce数据显示，2022年AI服务器出货量86万台，预计2026年AI服务器出货量将超过200万台，年复合增速29%。AI服务器出货量增长催化HBM需求爆发，叠加服务器平均HBM容量增加，预期到2025年，全球HBM市场规模达到约150亿美元，增速超过50%。

从封装结构看，HBM主要采用CoWoS和TSV两种先进封装工艺。当前，HBM与GPU集成的主流解决方案为台积电的CoWoS封装工艺，该方案被广泛应用于A100、GH200等算力芯片中。HBM层与层之间通过TSV（硅通孔）及μbumps（微凸块）技术实现垂直互联，从而实现小尺寸与高带宽、高传输速度的兼容。

在先进封装方面，长电科技在2023年半年报中披露，公司与客户共同开发基于高密度Fanout封装技术的2.5DfcBGA产品，TSV异质键合3DSoC的fcBGA已经通过认证。在半导体存储市场领域，公司的封测服务覆盖DRAM、Flash等各种存储芯片产品，拥有20多年memory封装量产经验，16层NAND flash堆叠，35um超薄芯片制程能力，Hybrid异型堆叠等，都处于国内行业领先的地位。

2月8日，长电科技还在上证e互动平台上披露，公司推出的XDFOI高性能封装技术平台可以支持高带宽存储的封装要求。

长电科技另外披露，公司于2021年推出了针对2.5D、3D封装要求的多维扇出封装集成的XDFOI技术平台，目前已与国内外大客户在Chiplet的产品研发及推出方面进行合作；并在过去几年持续推进多样化方案的研发、量产及全球布局。公司的XDFOI技术平台覆盖当前市场上的主流2.5D Chiplet方案，分别是以再布线层（RDL）转接板、硅转接板和硅桥为中介层的三种技术路径，且均已具备生产能力。